P N P N Чип - тиристоры МН55 - МН100 разработаны для полуволнового ( переменный ток ) управления разнообразными реле, регуляторами ламп накаливания, небольшими электродвигателями, и определения количества оборотов их вращения.

Технические характеристики кремниевого кристалла

Характеристика Чипа MH55 MH75 MH100 Размер Чипа, мм 0.55 x 0.55 0,75 x 0,75 1,0 x 1,0 Материал металлизации рабочей поверхности Al Материал металлизации обратной стороны (анода) Ti-Ni-Au Толщины слоев Чипа, мм 0.270 ± 0.02 Диаметр кристалла, мм 76 Материал покрытия (заполнения) SiO2

Предельные режимы эксплуатации (Tc=25°C)

Параметр  обозначение  MH55 MH75 MH100 единица Амплитуда прямого повторяющегося напряжения Ти=-40°C to 125°C, R = 1 кОм Uпр. 400 400-600 400-600 В Амплитуда прямого повторяющегося напряжения Ти=-40°C to 125°C Uобр. 5 В Обратный ток Tк=40°C Iобр. 0,6 0,8 1,0 A Рабочая температура перехода - - 65  >¸ +125 °C

Характеристика Symbol Min Max единица условия испыта-ний Ток анода в закрытом состоянии Iзакр. - 10  мкA Т =25 °С Напряжение в открытом состоянии U ос - 1,93 В Т =25 °С Ток управления Iупр. - 100 мкА U прям.= = 6В Ток удержания II уд. - 5 мА U прям.= = 6В