Uкэо >  400В Iк=2А 21Э>20 fТ=50МГц Высокоэффективный   высоковольтный транзистор с обратным (Д1) и рассасывающим (Д2) диодами использует диффузионные затворы для улучшения сотношения между предельным рабочим напряжением, коэффициентом усиления и быстродействием. Э  К  Б Корпус КТ-28 (ТО-220)

Предельно-допустимые режимы (Т=25^оС)

Наименование параметра, характеристики Усл. обозн. Значение Ед. изм. Напряжение коллектор-база UКБ 700 В Напряжение коллектор эмиттер UКЭ0 400 В Напряжение база-эмиттер UБЭ 6 В Ток коллектора IК 2 А Мощность рассеиваемая коллектором (ТК=25оС) PК 50 Вт Температура p-n - перехода ТП 150 оС

Электрические параметры транзистора (Т=25^оС)

Наименование параметра Усл. обозн. Мин Тип Макс Ед.изм. Пробивное напряжение коллектор-база (IК=0,1мА, IЭ=0) UКБ,ПРОБ 700     В Пробивное напряжение коллектор-эмиттер ( IК=100мА, L=25мГн) UКЭ(нас), ПРОБ   400     В Пробивное напряжение эмиттер-база  (IЭ=1мА) UЭБ,ПРОБ 6     В Ток утечки коллектора (Uкэ=400В, IБ=0) IКБ0     50 мкА Напряжение насыщения база-эмиттер (IК= 1А, IБ=0,2А) UБЕ,НАС   0,8   В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК= 1А, IБ=0,2А) UКЭ,НАС        0,3 В Коэффициент усиления ( UКЭ=1В, IК=0,4А) ( UКЭ=1В, IК=1 А) hFE 20 10       Емкость коллектора при UКБ=10В, IЭ=0, f=1МГц CК   50   пФ Граничная частота при UКЭ=10В, IК=0,5А fT 50     МГц

Электрические параметры диодов Д1, Д2 (Т=25^оС)

Наименование параметра Усл. обозн. Мин Тип Макс Ед.изм. Прямое напряжение Д1 (IЭК=1А) UЭК   1,0   В Прямое напряжение Д2 (IЭК=0,02А) UБК   0,65   В