Чип MRAM: как в будущем будут хранить информацию?

Однако, в 2005 году Й. Акерман – известный профессор физики – смог охарактеризовать возможности магниторезистивного оперативного запоминающего устройства, которое будет известно как MRAM и сможет по функциональности вытеснить разные типы памяти, используемые в нынешних электронных приборах. Возможно, в ближайшее время на территории РФ это приспособление можно будет купить, как, к примеру, двери раменское, а также другие административные центры смогут пользоваться этой новинкой.

На данный момент мечту выдающегося физика стараются воплотить ученые Национального университета Сингапура и Научно-технического университета короля Саудовской Аравии. Исследователи объединили свои силы, чтобы разработать совершенный вид MRAM. Сегодня для создания многих электронных приборов используют несколько видов запоминающих устройств - SRAM (статистическое оперативное), которое функционирует быстро, но не надежно, и DRAM (динамическое оперативное), отличающееся большей плотностью памяти. Также, в некоторых случаях эксплуатируют флэш-носители, не менее популярные, чем, к примеру, отечественные двери в жуковском и других небольших населенных пунктах Московской области.

MRAM на этапе разработок

Несмотря на то, что технология MRAM может быть очень перспективной, сегодня исследователи отмечают один недостаток – короткий срок хранения информации. Это обусловлено тем, что для хранения данных необходимо использовать магнитные элементы, которые преобразовываются в 2 специальные пластины, отделенные друг от друга тонким изоляционным слоем. Толщина этих пластин составляет менее 1 нанометра, поэтому изготавливать их без дефектов практически невозможно. Ученые считают, что при таком раскладе срок хранения информации может составлять менее 12 месяцев. Однако исследователи смогли заменить пластины пленкой с подобной структурой, толщина которой 20 нанометров. При успешном тестировании, чип MRAM можно будет использовать для приложений различной сферы применения, поскольку срок хранения информация будет не менее 20 лет.